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少数载流子累积效应与异常电压分析

时间:2023-06-20 理论教育 版权反馈
【摘要】:实际应用中,缓冲电路是必要的,因为可以用它来将异常电压抑制在2E2以下。耗尽层形成、状态恢复期间 存储的少数载流子锐减,中间部分开始形成耗尽层,二极管端电压反转,反向外加电压逐步升高,当反向电压达到-E2时,耗尽层几乎恢复了状态。将这一连串的现象归结为由少数载流子存储效应引起异常电压的过程,这是具有pn结的半导体器件的固有缺点,换句话说,这是双极型器件固有的缺点。

少数载流子累积效应与异常电压分析

以上清楚地说明了二极管的静态特性,下面将讨论二极管的动态特性。在图2.7a所示的升压斩波电路中,开关器件反复开关动作,放大一个周期的电压电流,如图2.7b所示。在时间轴的开始部分,几乎为一定值的I1从输入向开关器件SD中流动,同时开关器件的控制信号由Ton切换到Toff。二极管中流动的电流iD并不是从零阶跃直接切换到I1,而是由于电路中存在的杂散电感(stray induct-ance)ls抑制了(eSD-E2)/ls的斜率而上升,至达到I1为止,在此期间开关器件延迟关断[1]

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图2.7 以开关电路和二极管的电压电流为中心描述的工作波形

㊁ 实际上反向恢复电压峰值可以达到几倍的E2电压,即使软恢复二极管也不能把电压峰值都抑制在2E2以下。实际应用中,缓冲电路是必要的,因为可以用它来将异常电压抑制在2E2以下。参考图5.43的说明。

其次,Toff期间结束,考虑开关器件开始再次开通之后的二极管电流及其内部现象,分为3个阶段进行说明。

(1)正向电流直线减少期间 Ton期间eSD=0,因ls的影响,故电流iD几乎以E2/ls斜率骤减,直到正向电流为零。(www.zuozong.com)

(2)反向电流增加、少数载流子抽取期间 电流过零以后,iD向反方向增大,在此期间,以前注入在pn结接合部位所存储的过剩少数载流子被向两极抽取,在(1)和(2)期间二极管端电压保持正向压降。

(3)耗尽层形成、状态恢复期间 存储的少数载流子锐减,中间部分开始形成耗尽层,二极管端电压反转,反向外加电压逐步升高,当反向电压达到-E2时,耗尽层几乎恢复了状态。在此之后,需要注意的还有较大反向电流流动的过程,杂散电感ls中剩余大量的电磁能量,ls和耗尽层的等价电容间一边发生谐振,一边消耗能量,直至恢复到开关初始状态。电压振荡时的过冲电压在二极管端子上会诱发很大的反向电压,这对二极管自身和装置都将造成危害。

将这一连串的现象归结为由少数载流子存储效应(minority carrier storage effect)引起异常电压的过程,这是具有pn结的半导体器件的固有缺点,换句话说,这是双极型器件固有的缺点。同时,将抽取少数载流子所需的时间称为少数载流子存储时间。

连接缓冲电路是解决异常电压的对策,或者在二极管制作过程中设法人为地推迟载流子的抽取过程,缓和各个状态的恢复过程,从而获得抑制反向电压峰值的方法,图2.7b所示的电流波形(点划线)用来表示这个过程。这种设法处理过的二极管称为软恢复二极管(soft recovery diode)[2],特别对于高电压用二极管,这是必备的手段。

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